Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://elar.uspu.ru/handle/ru-uspu/15152| Название: | Spin transistor in the EuO:Fe/GaAs contact |
| Автор: | Bamburov, V. G. Borukhovich, A. S. Igant'Eva, N. I. |
| Дата публикации: | 2011 |
| Условия доступа: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
| Аннотация: | Spin-wave structures with magnetic-field-driven current-voltage characteristics at room temperature were produced using a spintronic europium-monoxide-based thin-film emitter and a single-crystal n-GaAs semiconductor collector. This manifests practical implementation of the spin current transport and creation of a high-temperature spin transistor with the magnetic semiconductor/nonmagnetic semiconductor contact. © 2011 Pleiades Publishing, Ltd. |
| Ключевые слова: | HIGH TEMPERATURE PRACTICAL IMPLEMENTATION ROOM TEMPERATURE SEMICONDUCTOR COLLECTORS SEMICONDUCTOR CONTACTS SPIN CURRENTS SPIN TRANSISTOR SPINTRONICS EUROPIUM TRANSISTORS CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS |
| ISSN: | 1028-3358 1562-6903 |
| DOI: | 10.1134/S1028335811030062 |
| SCOPUS: | 79955851060 |
| WoS: | 000289209900001 |
| Располагается в коллекциях: | Научные публикации, проиндексированные в SCOPUS и WoS |
Файлы этого ресурса:
Нет файлов, ассоциированных с этим ресурсом.
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.