Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://elar.rsvpu.ru/handle/123456789/15152
Название: Spin transistor in the EuO:Fe/GaAs contact
Автор: Bamburov, V. G.
Borukhovich, A. S.
Igant'Eva, N. I.
Дата публикации: 2011
Аннотация: Spin-wave structures with magnetic-field-driven current-voltage characteristics at room temperature were produced using a spintronic europium-monoxide-based thin-film emitter and a single-crystal n-GaAs semiconductor collector. This manifests practical implementation of the spin current transport and creation of a high-temperature spin transistor with the magnetic semiconductor/nonmagnetic semiconductor contact. © 2011 Pleiades Publishing, Ltd.
Ключевые слова: HIGH TEMPERATURE
PRACTICAL IMPLEMENTATION
ROOM TEMPERATURE
SEMICONDUCTOR COLLECTORS
SEMICONDUCTOR CONTACTS
SPIN CURRENTS
SPIN TRANSISTOR
SPINTRONICS
EUROPIUM
TRANSISTORS
CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS
ISSN: 1028-3358
1562-6903
DOI: 10.1134/S1028335811030062
SCOPUS: https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-79955851060&origin=resultslist
Располагается в коллекциях:Научные публикации, проиндексированные в SCOPUS и WoS

Файлы этого ресурса:
Нет файлов, ассоциированных с этим ресурсом.


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.